BYV410X-600_1
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Product data sheet Rev. 01 — 29 June 2009 2 of 10
NXP Semiconductors
BYV410X-600
Enhanced ultrafast dual rectifier diode
2. Pinning information
3. Ordering information
4. Limiting values
Table 2. Pinning information
Pin
Symbol
Description
Simplified outline
Graphic symbol
1 A1 anode 1
SOT186A
(TO-220F)
2 K cathode
3 A2 anode 2
mb n.c. mounting base; isolated
1
2
3
mb
sym125
A2
A1
K
Table 3. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BYV410X-600 TO-220F plastic single-ended package; isolated heatsink mounted; 1 mounting
hole; 3-lead TO-220 "full pack"
SOT186A
Table 4. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VRRM
repetitive peak reverse
voltage
-600V
VRWM
crest working reverse
voltage
-600V
VR
reverse voltage DC - 600 V
IO(AV)
average output current square-wave pulse; δ
= 0.5; Th
≤
42 °C; both diodes
conducting; see Figure 1; see Figure 2
-20A
IFRM
repetitive peak forward
square-wave pulse; δ
= 0.5; tp
= 25 μs; Th
≤
60 °C; per
current
diode
-20A
IFSM
non-repetitive peak
forward current
tp
= 8.3 ms; sine-wave pulse; Tj(init)
= 25 °C; per diode - 132 A
tp
= 10 ms; sine-wave pulse; Tj(init)
25 °C; per diode - 120 A
Tstg
storage temperature -40 150 °C
Tj
junction temperature - 150 °C
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